2026 年 2 月 3 日，在 Intel Connection Japan 2026 现场，英特尔联合软银子公司 SAIMEMORY 正式公开 Z-Angle Memory（ZAM）原型。这不是一次常规技术演示，而是英特尔退出 DRAM 赛道数十年后，携全新架构重返高端内存战场的战略宣战。ZAM 以'Z 角交错互连'彻底重构 3D 内存堆叠逻辑，精准命中 HBM 的热障、功耗、容量三大致命短板，AI 内存的技术范式与产业格局，正被强行改写。
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内存新架构 ZAM 能否挑战 HBM？
英特尔联合软银子公司 SAIMEMORY 在 Intel Connection Japan 2026 上公开 Z-Angle Memory（ZAM）原型。该架构通过“Z 角交错互连”重构 3D 内存堆叠逻辑，旨在解决 HBM 存在的热障、功耗及容量问题。作为英特尔退出 DRAM 赛道数十年后的战略回归，ZAM 试图改写 AI 内存的技术范式与产业格局。
